Мозоль, Петр Е.Власенко, Александр И.Гнатюк, Владимир А.Копишинская, Елена П.2019-10-312019-10-311993-110015-3222https://dspace.pdau.edu.ua/handle/123456789/6127Власенко А.И., Гнатюк В.А., Мозоль П.Е., Сукач А.В., Копишинская Е.П., Лукьяненко А.В. Влияние особенностей структуры эпитакси-альных слоев CdxHg1-xTe на электрофизические и фотоэлектрические свойства при лазерном облучении. Физика и техника полупроводников. 1993. Т. 28. № 11/12 С. 1820-1829.фотопроводимостьнаносекундное лазерное облучениеэпитаксиальные слоиточечные дефектыArticle